由于固態(tài)硬盤的內(nèi)部構(gòu)造與傳統(tǒng)硬盤有很大的區(qū)別，所以兩者在硬件故障的表現(xiàn)形式上也有所不同，固態(tài)硬盤內(nèi)部是一系列較為復(fù)雜的電子元件，其中包括存儲(chǔ)芯片、控制芯片等，所以最常見的故障首先是電路故障，其次是固件故障。固件故障多表現(xiàn)為主板和系統(tǒng)無法識(shí)別硬盤，型號(hào)、容量識(shí)別錯(cuò)誤或者讀取某個(gè)區(qū)域文件及文件夾時(shí)頻繁死機(jī)等。
主板和系統(tǒng)無法識(shí)別硬盤，大多數(shù)是由于固態(tài)硬盤里的電路元件損壞，而型號(hào)容量識(shí)別錯(cuò)誤則可能是固態(tài)硬盤固件損壞導(dǎo)致的。電路損壞只要更換相應(yīng)的配件即可修復(fù)，而修復(fù)固件故障必須首先有能讀寫固態(tài)硬盤固件的工具和軟件，而后還要有相同版本得完好固件才能修復(fù)，修復(fù)過程是相當(dāng)復(fù)雜的。因此修復(fù)固態(tài)硬盤不單需要經(jīng)驗(yàn)、設(shè)備，還需要充足的配件和固件程序庫。我公司在固態(tài)硬盤恢復(fù)方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，并且擁有充足的配件以及類型繁多的固件程序版本，所以在恢復(fù)此類故障時(shí)擁有很高的成功率。
固態(tài)硬盤內(nèi)最重要的是控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元，固態(tài)存儲(chǔ)單元是用來記錄數(shù)據(jù)的，控制單元?jiǎng)t是控制硬盤正常工作的。 打開固態(tài)硬盤我們便可以看到電路上多個(gè)FLASH閃存顆粒，這些顆粒就是固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元有一定使用壽命也就是有擦寫次數(shù)的限制，當(dāng)存儲(chǔ)單元達(dá)到或超過擦寫次數(shù)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況或出現(xiàn)壞塊，這時(shí)會(huì)導(dǎo)致整個(gè)固態(tài)硬盤不能正常工作。例如出現(xiàn)系統(tǒng)讀取數(shù)據(jù)時(shí)很卡或頻繁死機(jī)。
由于讀取設(shè)備的限制，損壞的存儲(chǔ)單元內(nèi)數(shù)據(jù)恢復(fù)過程既復(fù)雜難度又大，這最終有可能影響恢復(fù)的效果。有些人會(huì)問只是一個(gè)存儲(chǔ)單元損壞而已，我用設(shè)備把其他存儲(chǔ)單元讀出來，讀出來的數(shù)據(jù)不是大部分可用的么？但是答案是否定，原因就是FLASH存儲(chǔ)單元采用了損耗均衡的算法，數(shù)據(jù)被分割成很小的數(shù)據(jù)塊，然后根據(jù)存儲(chǔ)塊的損耗程度（即擦寫次數(shù)）進(jìn)行漂移存儲(chǔ)。
為什么要采用耗均衡的算法呢？
我們知道FLASH存儲(chǔ)單元有擦寫次數(shù)限制，特別是MLC存儲(chǔ)單元，它的可擦寫次數(shù)大約為1萬次，SLC是MLC的10倍。但是我們知道硬盤的某些區(qū)域在使用中會(huì)被頻繁的擦寫，比如系統(tǒng)引導(dǎo)扇區(qū)，虛擬內(nèi)存等等，這些區(qū)域的頻繁擦寫會(huì)導(dǎo)致FLASH存儲(chǔ)單元的提前損壞，從而導(dǎo)致硬盤報(bào)廢，但是此時(shí)其他區(qū)域的FLASH存儲(chǔ)單元也許只擦寫了幾百次，為了防止這種情況出現(xiàn)，耗均衡的算法便誕生了，這個(gè)算法最早被應(yīng)用于U盤上。
什么是損耗均衡的算法呢？
損耗均衡會(huì)按照一定大小將存儲(chǔ)單元?jiǎng)澐譃槿舾蓚€(gè)塊，并為使用中的塊進(jìn)行索引編號(hào)，每次擦寫都會(huì)更新一個(gè)塊。其核心思想就是將新寫入的數(shù)據(jù)寫進(jìn)寫入次數(shù)較少的塊，將擦寫次數(shù)較多的塊中的數(shù)據(jù)移至擦寫次數(shù)較少的塊。
